汽车已经成了大多数人生活中必备的交通工具了,随着人们对汽车需求量的加大,汽车公司也多了起来。每天都有一些车企的最新动态都颇受关注的，那么接下来就由小编来给大家分享下小编所收集到汽车资讯方面相关的信息吧(以下内容来自于网络非小编所写，如有侵权请与站长联系删除)
2020年5月26日，比亚迪公告称，比亚迪半导体有限公司（简称“比亚迪半导体”）以增资扩股的方式成功引入战略投资者，投资者共向比亚迪半导体合计增资人民币19亿元，其中人民币7,605万元计入比亚迪半导体新增注册资本，人民币18.24亿元计入比亚迪半导体资本公积，本轮投资者合计取得比亚迪半导体增资扩股后20.2%股权。
值得注意的是，4月份，比亚迪刚刚发布公告称，其全资子公司深圳比亚迪微电子有限公司的内部重组已于近期完成，比亚迪微电子已正式更名为比亚迪半导体有限公司，比亚迪半导体拟以增资扩股等方式引入战略投资者。两次公告时间相差仅为42天，比亚迪方面表示，此次内部重组和引入战略投资者，除了扩充其资本实力，实现产能扩张，加速业务发展外，比亚迪半导体也在积极寻求于适当时机独立上市，建立独立的资本市场。
从亏损到寻求独立上市 比亚迪树立行业标杆
比亚迪微电子是比亚迪集团旗下的独立子公司，于2004年开始致力于集成电路及功率器件的开发，并提供产品应用的整套解决方案。2008年，比亚迪接手半导体公司宁波中纬，宁波中纬是宁波市第一家半导体公司，后因资金不足、生产线老化等原因导致产能不足被迫拍卖公司，最终被比亚迪拍下。由于宁波中纬产能问题、设备老旧以及设备维护费用高的棘手情况，比亚迪收购其公司后一直面临资金紧张和亏损问题，也被外界一直称“至少亏损20亿元”，风波之后，比亚迪一直默默在干实事。
王传福接手宁波中纬半导体公司后，将其业务整合到比亚迪生产链上，核心产品为电动汽车上的IGBT。IGBT中文全称为绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
2009年9月，比亚迪IGBT芯片通过了中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，打破了国际巨头的技术垄断。
比亚迪IGBT芯片通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定
图片来源：比亚迪半导体
2018年，比亚迪发布车规级领域具有标杆意义的IGBT 4.0技术，该技术在同等工况下，综合损耗较当前市场主流的IGBT降低了约20%， 温度循环寿命可以做到当前市场主流IGBT的10倍以上。IGBT 4.0技术的发布将IGBT这个长期游离于人们视野、但又堪称电动车CPU的核心技术带到了“聚光灯”下。至此，比亚迪已经陆续掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，是中国唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企。
比亚迪IGBT4.0晶圆
图片来源：比亚迪半导体
我国新能源汽车产业的快速发展带动了电子元器件产业的发展，国产IGBT迎来了发展的春天，比亚迪微电子凭借终端的优势，在车用IGBT市场快速崛起，取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率，一跃成为中国销售额前三的IGBT供应商。
汽车行业内的IGBT逐渐为人所熟知，前些年，英飞凌、富士电机、三菱等外资企业的IGBT产品几乎垄断了市场。如今，比亚迪率先在新能源汽车电驱动系统上实现了自主IGBT芯片的批量应用，为新能源汽车电驱动系统的全面国产化探索了一条有效道路。2019年英飞凌为国内电动乘用车市场供应62.8万套IGBT模块，市占率达58%，而比亚迪供应了19.4万套，市占率达到了18%。再到如今的比亚迪半导体成功引入战略投资者，寻求独立上市，比亚迪真正地为国产IGBT替代进口带来希望。
寻求更佳性能 比亚迪布局SiC材料
IGBT芯片与动力电池电芯并称为电动汽车的 “双芯”，这个小小的芯片直接影响着新能源汽车的性能，其成本是动力电池之外第二高的元件，对于电动汽车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。
针对汽车级IGBT设计和制造难题，比亚迪突破了汽车级IGBT晶圆设计、模块散热、封装工艺和制造等关键技术，实现了汽车级IGBT功率模块的产业化，打破了国外专利和技术封锁，并首创电机驱动与车载充放电复用IGBT的融合设计技术。
IGBT芯片打线 图片来源：比亚迪半导体
IGBT制造难度极大，在大规模应用的1200V车规级IGBT芯片的晶圆厚度上，比亚迪处于全球先进水平，可将晶圆厚度减薄到120um（约两根头发丝直径）。
纯电动汽车性能的不断提升对功率半导体组件提出了更高的要求，当下的IGBT也将逼近硅材料的性能极限，寻求性能更佳的全新半导体材料成为行业共识。SiC（碳化硅）被称为第三代半导体材料，据了解，SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。
比亚迪已投入巨资布局第三代半导体材料SiC，并将整合材料（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。
第三代半导体材料SiC 图片来源：比亚迪半导体
比亚迪微电子IGBT产品中心高级经理杨钦耀表示，相对于如今的硅基IGBT，SiC将会提供更低的芯片损耗、更强的电流输出能力、更优秀的耐高温能力以及缩小电控体积和重量等众多优点。但如今因较高的成本费用，暂时只应用于长续航里程纯电动汽车上。预计于2023年，比亚迪将会实现SiC对硅基IGBT材料的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。
比亚迪微电子IGBT高级研发经理吴海平表示，功率芯片的发展需要更低的损耗和成本，更高的集成度、工作结温和可靠性。比亚迪电驱功率模块技术从间接水冷技术发展到现在的SiC MOS 双面水冷纳米银焊接技术，有助于控制器功率密度提升到50KW/L以上，SiC相比于Si材料具有优良的性能。
SiC MOS在电动汽车电机驱动上带来效率的明显提升
图片来源：比亚迪半导体
至今，比亚迪已建立起了成熟的功率半导体设计开发、生产以及验证体系，并拥有完整的产业链以及自主知识产权。可见，比亚迪真正地实现了IGBT和SiC国产化，降低了成本，提升了产能，丰富了产品种类，提高了国产终端产品的竞争力。
经过十多年的研发积累和在新能源汽车领域的规模化应用，比亚迪半导体已成为国内自主可控的车规级IGBT领导厂商，此次半导体业务的剥离和寻求独立上市，使比亚迪更有把握抓住中国半导体产业崛起的机遇，同时更加完善了比亚迪在产业链方面的布局。