导读 大家好，我是小科，我来为大家解答以上问题。欧姆接触和肖特基接触的不同，欧姆接触很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！1、除了采用...
大家好，我是小科，我来为大家解答以上问题。欧姆接触和肖特基接触的不同，欧姆接触很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！
1、除了采用高掺杂和引入复合中心这些措施来实现欧姆接触以外，采用窄带隙半导体构成的缓变异质结，也可以实现对宽带隙半导体的欧姆接触。譬如利用MBE技术制作的n-InAs/n-GaAs或者n-Ge/n-GaAs异质结，就是很好的欧姆接触。
2、Si和GaAs器件及其IC的欧姆接触技术已经比较成熟，但是对于在p型Ⅲ-Ⅴ族半导体上的欧姆接触还不太容易做好，因为在退火时或在空气中时，p型Ⅲ-Ⅴ族半导体（如p-AlGaAs）的表面要比n型的表面更容易氧化。此外，对于许多宽带隙半导体（如CdS、AlN、SiC、GaN）的欧姆接触，在技术上尚很不成熟，其原因是这种半导体的自补偿作用（即大量的晶体本征缺陷对于施主杂质或者对于受主杂质的自发补偿作用）很严重，它们是所谓单极半导体，从外面掺入再多的杂质也难以改变其电阻率，更难以改变其型号，所以想要利用高掺杂来获得欧姆接触是很困难的；这里一种可行的办法就是加上一层高掺杂（型号相同）的窄带隙半导体、构成一个异质结来实现欧姆接触。
本文到此讲解完毕了，希望对大家有帮助。